A SSD Basato a v dello SSD 850 EVO 32-Layer 3D di Samsung collaudato

MojoKid scrive Samsung appena ha preso gli involucri fuori da una nuova famiglia degli azionamenti semi conduttori della corrente principale, mirante al segmento di mercato precedentemente occupato dalla sua serie popolare dello SSD 840 EVO. La nuova serie dello SSD 850 EVO di Samsung è seguito allo SSD corrente 850 della nave ammiraglia della società PRO, ma il nuovo EVO è Samsung primo per imballare la memoria flash del bit MLC di 32layer 3D VNAND 3. Il movimento verso il flash del bit MLC di 32layer 3D VNAND 3 porta la valutazione giù al .50 – .60 per gamma della chiavetta, ma avversamente non colpisce la resistenza perché la struttura della cellula non soffre dalle stesse limitazioni inerenti del NAND planare, poiché le cellule sono impilate verticalmente con il 3D VNAND. Il nuovo azionamento di 850 EVO esegue bene con i grandi trasferimenti sequenziali ed i tempi di accesso molto bassi anche offerti. La compressibilità dei dati che sono trasferiti attraverso lo SSD 850 EVO di Samsung non ha avuta impatto sulla prestazione ed i piccoli trasferimenti di file ad alta profondità della coda erano veloci. I piccoli trasferimenti di file con le profondità basse delle code, che è che cosa avreste pensato vedere con la maggior parte dei carichi di lavoro del cliente, erano inoltre molto buoni. I numeri eccellenti su anche messi degli azionamenti dello SSD 850 EVO di Samsung alle nelle prove basate a traccia gradiscono PCMark 7.

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Fonte: A SSD Basato a v dello SSD 850 EVO 32-Layer 3D di Samsung collaudato

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