L’innovazione di RRAM getta una barra trasversale attraverso i concorrenti dello SSD

Ognuno sa che gli azionamenti semi conduttori sono rapidi, ma la capacità rimane una preoccupazione importante. Intel e Samsung hanno affrontato il problema con una tecnologia chiamata 3D NAND che le configurazioni sopra la tecnologia esistente dello SSD aggiungendo più aerei ad ogni chip di memoria muoiono. Nuovo Samsung 850 azionamenti di Evo, che possono raggiungere una capacità di 120GB su un pezzo di hardware a mala pena più grande di un azionamento del pollice, è risultato che 3D NAND può fornire i risultati.

Ma non è il solo gioco in città. La barra trasversale, una partenza dell’hardware fondata nel 2010, sta versando il tempo ed i soldi in un’alternativa chiamata memoria ad accesso casuale resistente, o RRAM. Ciò è una forma “non volatile„ di memoria ad accesso casuale, che il mezzo conserva le informazioni senza una corrente elettrica applicata (il DDR-RAM in vostro PC dimentica tutti i suoi dati quando il vostro computer è spento).

L’approccio della barra trasversale comprende RRAM impilato in una struttura del tipo di cubo che si espande in tre dimensioni, potere di chiusura di fino a un Terabyte teoricamente possibile su un singolo chip. Suona grande, destra? Appena un problema; disponendo così tanto la memoria così chiuda normalmente i risultati nella perdita corrente, che può aumentare il consumo di energia nel migliore dei casi e rende un azionamento inutile a peggio. O, usare le proprie parole della barra trasversale, “i percorsi paralleli della conduzione di multiplo introducono le correnti di perdita che limitano la dimensione massima di matrice ed aumentano il consumo di energia.„

Linnovazione di RRAM getta una barra trasversale attraverso i concorrenti dello SSD

Questa limitazione debilitante potrebbe mettere la barra trasversale fuori per pascolare, ma i suoi ingegneri dicono che hanno trovato una soluzione chiamata “1 transistor che guida la cellula di memoria resistente di n,„ o 1TnR, con i legami fino a 2.000 cellule di memoria ad un singolo transistor. Con questa progettazione sul posto la società ha potuta evitare la perdita corrente, che gli azionamenti di grande capacità di mezzi sono una possibilità più pratica. La progettazione può anche resistere a fino a 100 milione cicli di uso e commutare fra gli stati avanti/stop in 50 nanosecondi, tratti che rendono alla tecnologia più del bene durevole abbastanza per i consumatori.

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In pratica, mezzi dell’innovazione del RRAM della barra trasversale potrà da riempire estremamente un gran numero di stoccaggio semi conduttore in uno spazio la dimensione di un francobollo. Quello è ancora più piccolo del V-NAND di Samsung e il 3D imminente NAND di Intel possono dirigere. Immagini, per esempio, un Chromebook a 11 pollici con un Terabyte di stoccaggio.

Dovrete immaginare per un po’più lungamente, sebbene, perché la tecnologia non colpirà i prodotti al minuto fino alla fine del 2015 al più presto. Un arrivo 2016 è più probabile ed i produttori che sono interessati in barra trasversale rimangono sconosciuti. La società non sta dicendo chi i suoi “alfa clienti„ in anticipo sono. Ci sono ancora parecchie transenne nel percorso di questa nuova tecnologia di stoccaggio ma, se riuscito, potesse generare una rapida e un avanzamento tanto necessario nella capacità di stoccaggio.

Fonte: L’innovazione di RRAM getta una barra trasversale attraverso i concorrenti dello SSD

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